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本研究室主要從事與光學薄膜及光電元件相關之製程研究、薄膜檢測、結構分析以及探討未來發展；主要可利用之實驗設備為多靶濺鍍系統 (co-sputter system)，其儀器功能為：

1. 可同時使用四支濺鍍槍進行多靶材濺鍍。
2. 薄膜沉積 (如：AlN、Al 及其他金屬薄膜)。
3. 可通入氣體 N2、Ar、O2 且製程溫度最高可達 800℃。
4. 基準真空度 (base vacuum pressure) 可達 5×10-8 Torr 且可於 4×10-3 Torr 進行濺鍍。
5. 電漿產生裝置為直流電漿產生器，濺鍍槍功率最大可至 1000W。

透過對實驗儀器的瞭解並由機台的實際操作，訓練對於研究系統的認知，以此作為基出延伸研究方向，並時時保持追根究柢的態度來瞭解研究癥結點，並同時擬訂具有前瞻性的思考方向及應用，增進研究能力。